喜迎MM现代制造15周年盛典 恭祝Moxa获得领军企业奖项

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研究人员通过一步溶剂热法在黑磷纳米片上生长出SnS2纳米片，制造周年构建了新型2D-2D黑磷/SnS2 P-N异质结并首次用于高效NO2传感应用。(i-j)SnS2/BP的HRTEM图像和SAED图像，盛典(k-m)SnS2/BP的元素面分布图像。

与SnS2相比，恭祝SnS2/BP复合结构抑制了低价Sn2+和路易斯酸性S空位的形成，改善了其NO2传感性能。(f-h)BP、领军SnS2和SnS2/BP的TEM图像。图4.SnS2、企业BP和SnS2/BP的选择性、稳定性和DFT数据。

本研究通过Lewis酸性调控和2D-2D界面工程，奖项为基于金属硫族化合物/BP异质结构的高效气体传感器的设计和制造提供了一种新的策略。喜迎现代(e)SnS2/BP和SnS2的Sn3d和S2pXPS谱图。

近年来，制造周年层状二维金属硫化物（如：SnS2）具备优异的半导体性能，其低维纳米结构具有较大的比表面积，在气敏领域已受到了广泛关注。

P型黑磷中高氧化性的空穴，盛典有效抑制了SnS2中Sn2+和硫空位(Lewis酸)的形成，盛典促进了异质结对酸性NO2的吸附与气敏响应，实现了ppb级、室温、快速、高选择性的痕量NO2气体检测。主要从事仿生功能界面材料的制备及物理化学性质的研究，恭祝揭示了自然界中具有特殊浸润性表面的结构与性能的关系，恭祝提出了二元协同纳米界面材料设计体系。

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1992年作为中日联合培养的博士生公派去日本东京大学学习，奖项师从国际光化学科学家藤岛昭。喜迎现代2017年获得德国洪堡研究奖（HumboldtResearchAward）。